MOSFET
MIR120C080A1L
产品状态量产体制
交货型号MIR120C080A1L
器件类型碳化硅功率MOSFET
封装尺寸—
品牌无锡美偕科
供货可代订
关键词无锡美偕科MOSFET碳化硅功率MOSFET原厂正品现货
图片仅供参考,并展示示范产品。
产品描述
由锐华芯科技授权代理 无锡美偕科,碳化硅功率MOSFET MIR120C080A1L。原厂正品、批次可追溯,支持代订与备货,提供选型建议、规格书与样品申请,帮助客户缩短选型与量产周期。
主要参数(典型值)
材料碳化硅(SiC)
沟道类型N沟道
封装TO247-3L
漏源电压 Vds1200V
漏极电流 Id36A
导通电阻 Rds(on)100mΩ(典型 80mΩ)
阈值电压 Vth2.8V
输入电容 Ciss1001pF
栅极总电荷 Qg60nC
栅源电荷 Qgs16nC
栅漏电荷 Qgd23nC
工艺平台碳化硅 SiC
沟道配置单管
* 以上尺寸参数为示例数据,实际规格请以原厂规格书为准或联系我们获取最新选型资料。








