MOSFET

MIR04N2P0S1GCL

Name: MOSFET N沟道功率MOSFET MIR04N2P0S1GCL
Brand: 无锡美偕科
Availability: OutOfStock

产品状态量产体制

交货型号MIR04N2P0S1GCL

器件类型N沟道功率MOSFET

封装尺寸—

品牌无锡美偕科

供货可代订

关键词无锡美偕科MOSFETN沟道功率MOSFET原厂正品现货

图片仅供参考，并展示示范产品。

由锐华芯科技授权代理无锡美偕科，N沟道功率MOSFET MIR04N2P0S1GCL。原厂正品、批次可追溯，支持代订与备货，提供选型建议、规格书与样品申请，帮助客户缩短选型与量产周期。

沟道类型N沟道

封装PPAK5×6

漏源电压 Vds40V

漏极电流 Id157A

导通电阻 Rds(on)2mΩ(典型 1.5mΩ) @VGS=10V、3mΩ(典型 2.3mΩ) @VGS=4.5V

阈值电压 Vth1.7V

工艺平台SGT

栅极总电荷 Qg69nC

栅源电荷 Qgs8.6nC

栅漏电荷 Qgd18nC

沟道配置单管

* 以上尺寸参数为示例数据，实际规格请以原厂规格书为准或联系我们获取最新选型资料。