MOSFET
LNT140N040SD
产品状态量产体制
交货型号LNT140N040SD
器件类型N沟道功率MOSFET
封装尺寸—
品牌镭诺
供货可代订
关键词镭诺MOSFETN沟道功率MOSFET原厂正品现货
图片仅供参考,并展示示范产品。
产品描述
由锐华芯科技授权代理 镭诺,N沟道功率MOSFET LNT140N040SD。原厂正品、批次可追溯,支持代订与备货,提供选型建议、规格书与样品申请,帮助客户缩短选型与量产周期。
主要参数(典型值)
沟道类型N沟道
封装SOP8
漏源电压 Vds40V
漏极电流 Id12A
导通电阻 Rds(on)15.5mΩ(典型 14.5mΩ) @VGS=10V、24.5mΩ(典型 22.5mΩ) @VGS=4.5V
阈值电压 Vth1.5V
输入电容 Ciss1012pF
输出电容 Coss78pF
反向传输电容 Crss72pF
栅极总电荷 Qg20nC
栅源电荷 Qgs4.1nC
栅漏电荷 Qgd3.4nC
工艺平台Trench
沟道配置双管
* 以上尺寸参数为示例数据,实际规格请以原厂规格书为准或联系我们获取最新选型资料。








