MOSFET
LN850N100J
产品状态量产体制
交货型号LN850N100J
器件类型N沟道功率MOSFET
封装尺寸—
品牌镭诺
供货可代订
关键词镭诺MOSFETN沟道功率MOSFET原厂正品现货
图片仅供参考,并展示示范产品。
产品描述
由锐华芯科技授权代理 镭诺,N沟道功率MOSFET LN850N100J。原厂正品、批次可追溯,支持代订与备货,提供选型建议、规格书与样品申请,帮助客户缩短选型与量产周期。
主要参数(典型值)
沟道类型N沟道
封装TO252
漏源电压 Vds100V
漏极电流 Id19A
导通电阻 Rds(on)93mΩ(典型 86mΩ) @VGS=10V、130mΩ(典型 115mΩ) @VGS=4.5V
阈值电压 Vth2V
输入电容 Ciss151pF
输出电容 Coss31pF
反向传输电容 Crss4pF
栅极总电荷 Qg5nC
栅源电荷 Qgs2nC
栅漏电荷 Qgd1nC
工艺平台SGT
沟道配置单管
* 以上尺寸参数为示例数据,实际规格请以原厂规格书为准或联系我们获取最新选型资料。








