MOSFET

LN800P060Q

产品状态量产体制
交货型号LN800P060Q
器件类型P沟道功率MOSFET
封装尺寸
品牌镭诺
供货可代订
关键词镭诺MOSFETP沟道功率MOSFET原厂正品现货

产品描述

由锐华芯科技授权代理 镭诺,P沟道功率MOSFET LN800P060Q。原厂正品、批次可追溯,支持代订与备货,提供选型建议、规格书与样品申请,帮助客户缩短选型与量产周期。

主要参数(典型值)

沟道类型P沟道
封装PDFN3.3×3.3
漏源电压 Vds-60V
漏极电流 Id-16A
导通电阻 Rds(on)90mΩ(典型 80mΩ) @VGS=10V、120mΩ(典型 105mΩ) @VGS=4.5V
阈值电压 Vth-1.5V
输入电容 Ciss907pF
输出电容 Coss44pF
反向传输电容 Crss39pF
栅极总电荷 Qg17nC
栅源电荷 Qgs4.4nC
栅漏电荷 Qgd2.4nC
工艺平台Trench
沟道配置单管

* 以上尺寸参数为示例数据,实际规格请以原厂规格书为准或联系我们获取最新选型资料。

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