MOSFET
LN750P100J
产品状态量产体制
交货型号LN750P100J
器件类型P沟道功率MOSFET
封装尺寸—
品牌镭诺
供货可代订
关键词镭诺MOSFETP沟道功率MOSFET原厂正品现货
图片仅供参考,并展示示范产品。
产品描述
由锐华芯科技授权代理 镭诺,P沟道功率MOSFET LN750P100J。原厂正品、批次可追溯,支持代订与备货,提供选型建议、规格书与样品申请,帮助客户缩短选型与量产周期。
主要参数(典型值)
沟道类型P沟道
封装TO252
漏源电压 Vds-100V
漏极电流 Id-30A
导通电阻 Rds(on)85mΩ(典型 75mΩ) @VGS=10V、96mΩ(典型 88mΩ) @VGS=4.5V
阈值电压 Vth-2V
输入电容 Ciss1142pF
输出电容 Coss67pF
反向传输电容 Crss81pF
栅极总电荷 Qg55nC
栅源电荷 Qgs10nC
栅漏电荷 Qgd9.4nC
工艺平台Trench
沟道配置单管
* 以上尺寸参数为示例数据,实际规格请以原厂规格书为准或联系我们获取最新选型资料。








