MOSFET

LN360P040SD

Name: MOSFET P沟道功率MOSFET LN360P040SD
Brand: 镭诺
Availability: OutOfStock

产品状态量产体制

交货型号LN360P040SD

器件类型P沟道功率MOSFET

封装尺寸—

品牌镭诺

供货可代订

关键词镭诺MOSFETP沟道功率MOSFET原厂正品现货

图片仅供参考，并展示示范产品。

由锐华芯科技授权代理镭诺，P沟道功率MOSFET LN360P040SD。原厂正品、批次可追溯，支持代订与备货，提供选型建议、规格书与样品申请，帮助客户缩短选型与量产周期。

沟道类型P沟道

封装SOP8

漏源电压 Vds-40V

漏极电流 Id-8A

导通电阻 Rds(on)40mΩ(典型 36mΩ) @VGS=10V、78mΩ(典型 68mΩ) @VGS=4.5V

阈值电压 Vth-1.5V

输入电容 Ciss1177pF

输出电容 Coss80pF

反向传输电容 Crss64pF

栅极总电荷 Qg20nC

栅源电荷 Qgs5.5nC

栅漏电荷 Qgd2.5nC

工艺平台Trench

沟道配置双管

* 以上尺寸参数为示例数据，实际规格请以原厂规格书为准或联系我们获取最新选型资料。