MOSFET
LN200D030SD
产品状态量产体制
交货型号LN200D030SD
器件类型P沟道功率MOSFET
封装尺寸—
品牌镭诺
供货可代订
关键词镭诺MOSFETP沟道功率MOSFET原厂正品现货
图片仅供参考,并展示示范产品。
产品描述
由锐华芯科技授权代理 镭诺,P沟道功率MOSFET LN200D030SD。原厂正品、批次可追溯,支持代订与备货,提供选型建议、规格书与样品申请,帮助客户缩短选型与量产周期。
主要参数(典型值)
沟道类型P沟道
封装SOP8
漏源电压 Vds-30V
漏极电流 Id-6.3A
导通电阻 Rds(on)25mΩ(典型 20mΩ) @VGS=10V、46mΩ(典型 34mΩ) @VGS=4.5V
阈值电压 Vth-1.5V
输入电容 Ciss1292pF
输出电容 Coss118pF
反向传输电容 Crss98pF
栅极总电荷 Qg22nC
栅源电荷 Qgs5.8nC
栅漏电荷 Qgd3.3nC
工艺平台Trench
沟道配置互补双管
* 以上尺寸参数为示例数据,实际规格请以原厂规格书为准或联系我们获取最新选型资料。








