MOSFET

LN011N060D

产品状态量产体制
交货型号LN011N060D
器件类型N沟道功率MOSFET
封装尺寸
品牌镭诺
供货可代订
关键词镭诺MOSFETN沟道功率MOSFET原厂正品现货

产品描述

由锐华芯科技授权代理 镭诺,N沟道功率MOSFET LN011N060D。原厂正品、批次可追溯,支持代订与备货,提供选型建议、规格书与样品申请,帮助客户缩短选型与量产周期。

主要参数(典型值)

沟道类型N沟道
封装TO263-7
漏源电压 Vds60V
漏极电流 Id150A
导通电阻 Rds(on)1.1mΩ(典型 0.97mΩ) @VGS=10V、1.5mΩ(典型 1.35mΩ) @VGS=4.5V
阈值电压 Vth1.8V
输入电容 Ciss7253pF
输出电容 Coss2059pF
反向传输电容 Crss50pF
栅极总电荷 Qg157nC
栅源电荷 Qgs22nC
栅漏电荷 Qgd33nC
工艺平台SGT
沟道配置单管

* 以上尺寸参数为示例数据,实际规格请以原厂规格书为准或联系我们获取最新选型资料。

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