MOSFET
LN011N040G-L
产品状态量产体制
交货型号LN011N040G-L
器件类型N沟道功率MOSFET
封装尺寸—
品牌镭诺
供货可代订
关键词镭诺MOSFETN沟道功率MOSFET原厂正品现货
图片仅供参考,并展示示范产品。
产品描述
由锐华芯科技授权代理 镭诺,N沟道功率MOSFET LN011N040G-L。原厂正品、批次可追溯,支持代订与备货,提供选型建议、规格书与样品申请,帮助客户缩短选型与量产周期。
主要参数(典型值)
沟道类型N沟道
封装PDFN5×6
漏源电压 Vds40V
漏极电流 Id189A
导通电阻 Rds(on)1mΩ(典型 0.9mΩ) @VGS=10V、1.5mΩ(典型 1.3mΩ) @VGS=4.5V
阈值电压 Vth1.5V
输入电容 Ciss8055pF
输出电容 Coss2819pF
反向传输电容 Crss117pF
栅极总电荷 Qg145nC
栅源电荷 Qgs29nC
栅漏电荷 Qgd26nC
工艺平台SGT
沟道配置单管
* 以上尺寸参数为示例数据,实际规格请以原厂规格书为准或联系我们获取最新选型资料。








