MOSFET
CRXSP35M120G4Q
产品状态量产体制
交货型号CRXSP35M120G4Q
器件类型碳化硅功率MOSFET
封装尺寸—
品牌华润微
供货可代订
关键词华润微MOSFET碳化硅功率MOSFET原厂正品现货
图片仅供参考,并展示示范产品。
产品描述
由锐华芯科技授权代理 华润微,碳化硅功率MOSFET CRXSP35M120G4Q。原厂正品、批次可追溯,支持代订与备货,提供选型建议、规格书与样品申请,帮助客户缩短选型与量产周期。
主要参数(典型值)
材料碳化硅(SiC)
沟道类型N沟道
封装TO263-7L
漏源电压 Vds1200V
漏极电流 Id55A
导通电阻 Rds(on)53mΩ(典型 45mΩ) @VGS=15V、46mΩ(典型 35mΩ) @VGS=18V
阈值电压 Vth2~4V
栅极总电荷 Qg79.6nC
输入电容 Ciss1826pF
工艺平台碳化硅 SiC
沟道配置单管
* 以上尺寸参数为示例数据,实际规格请以原厂规格书为准或联系我们获取最新选型资料。








